瞬態(tài)光電壓測(cè)試系統(tǒng)整合了DC,AC和瞬態(tài)測(cè)試，用于太陽能電池瞬態(tài)光電流譜TPC，瞬態(tài)光電壓譜TPV，光強(qiáng)相關(guān)性測(cè)試、變光強(qiáng)J-V曲線、線性增壓載流子抽取Photo-CELIV、強(qiáng)度調(diào)制光電流譜IMPS、強(qiáng)度調(diào)制光電壓譜IMVS、阻抗譜IS、電容電壓譜CV、深能級(jí)瞬態(tài)譜DLTS等進(jìn)行測(cè)量分析，深入的表征器件的載流子遷移率、載流子壽命和濃度、載流子動(dòng)力學(xué)過程、摻雜和陷阱分布等性能參數(shù)，從而對(duì)太陽能電池/OLED器件和其他有機(jī)半導(dǎo)體中的載流子遷移率進(jìn)行有效的分析和測(cè)量。

瞬態(tài)光電壓測(cè)試系統(tǒng)典型用戶:
中國(guó)科學(xué)院化學(xué)研究所（2SET）
中國(guó)科學(xué)院大學(xué)
華南理工大學(xué)
大連理工大學(xué)
山東大學(xué)
寧波大學(xué)
......


測(cè)量參數(shù):
Charge carrier mobility         載流子遷移率
Carrier lifetime                      載流子壽命
Recombination efficiency     復(fù)合效率
Charge injection barriers      電荷注入勢(shì)壘
Geometric capacitance         幾何電容
J-V Curve                              電流-電壓曲線
Pmax、FF、Voc、Is              光強(qiáng)相關(guān)性曲線測(cè)試
Carrier lifetime                      載流子壽命
Trap density                          陷阱密度
Trap depth                            陷阱深度
Doping density                     摻雜濃度
Series resistance                   串聯(lián)電阻
Electrical permittivity            介電常數(shù)
Built-in voltage                     內(nèi)建電場(chǎng)
Emitter lifetime(OLED)          發(fā)射壽命
軟件后處理功能：可獲得豐富的測(cè)試數(shù)據(jù)

太陽能電池和OLED測(cè)試示意圖：


測(cè)試功能：



技術(shù)規(guī)格：
采樣率：60MS/s
時(shí)間分辨率：16ns
頻率范圍：10mHz to 10MHz
電流分辨率：≤10pA
LED上升時(shí)間：100ns
最大電流：100mA
電壓范圍：±12V

可選功能：
Solar Cell Version or/and OLED Version
Multi-LED模塊：360nm~1100nm for EQE
變溫測(cè)試臺(tái)：-120℃ to 150℃（多種可選）
光譜儀：OLED器件發(fā)光光譜測(cè)量
SUM擴(kuò)展模塊：電壓±60V，電流分辨1pA

應(yīng)用領(lǐng)域：
鈣鈦礦太陽能電池PSCs
有機(jī)、量子點(diǎn)太陽能電池
染料敏化電池DSSC
疊層太陽能電池
CIGS,CdTe,CZTS太陽能電池
鈣鈦礦和量子點(diǎn)LED器件
有機(jī)發(fā)光器件OLED
MIS器件和LECs